Pesquisadores chineses conseguiram pela primeira vez substituir o silício pelo cobre na fabricação de LEDs.

Tufu Chen e seus colegas da Universidade Sun Yat-sen conseguiram transferir o semicondutor nitreto de gálio (GaN), crescido inicialmente sobre uma pastilha de silício, para uma camada de cobre.

E não foi apenas uma questão de "replantio".

O substrato de cobre permitiu que os cristais de nitreto de gálio liberassem estresses internos gerados quando eles são cultivados sobre o silício.

Esse "relaxamento" permitiu a minimização do chamado "efeito de confinamento quântico", um problema que reduz a eficiência dos LEDs.

Em comparação com os LEDs comuns, fabricados sobre silício, a luz emitida pelo LED sobre cobre melhorou 122%.

Segundo os pesquisadores, esse ganho, considerado "fenomenal", deveu-se a uma série de fatores, gerados pela mudança do silício para o cobre:

• remoção do substrato absorvente;
• inserção de um metal refletor entre a estrutura do LED e o substrato;
• eliminação do "sombreamento" causado pelo eletrodo;
• rugosidade da superfície exposta, que melhorou a orientação do cristal sobre o substrato.