Acaba de ser demonstrado o transístor de silício mais rápido já fabricado.
E o recorde anterior foi triturado: o novo transístor de silício-germânio operou a 798 GHz, mais de 200 GHz mais rápido do que o recordista anterior.
Embora o recorde tenha sido batido em temperaturas extremamente baixas - como geralmente ocorre nesses casos - a equipe dos EUA e da Alemanha afirma que agora é uma questão de "ajeitar as coisas" para que as velocidades-recorde sejam alcançadas a temperatura ambiente.
"O transístor que testamos tem um projeto conservador, e os resultados indicam que há um potencial significativo para alcançar velocidades similares à temperatura ambiente," disse o professor John Cressler, líder da equipe.
"Mais do que isso, eu acredito que estes resultados também indicam que o objetivo de quebrar a chamada 'barreira terahertz', ou seja, alcançar velocidades terahertz em um transístor de silício-germânio robusto e fabricável industrialmente, está ao nosso alcance," complementou Cressler.
Antes disso, o componente poderá ser usado em aplicações que já funcionam em temperaturas criogênicas, como em satélites artificiais e sondas espaciais ou em equipamentos de imageamento médico.
Transístor HBT
O nanotransístor de SiGe (silício-germânio) é do tipo HBT (heterojunction bipolar transistor, ou transístor bipolar de heterojunção).
O silício é muito bom para o dia a dia, mas não é páreo para outros semicondutores quando o assunto é um desempenho extremo.
Quando o assunto é bater recordes, os materiais mais usados são o fosfeto de índio, arseneto de gálio e nitreto de gálio.
O problema é que todos são caros demais para serem usados em larga escala.
É por isso que os pesquisadores estão interessados no silício-germânio - o alto desempenho do germânio dá uma turbinada no silício.
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