Esses componentes semicondutores usam o tunelamento quântico dos elétrons através de uma barreira ultrafina, permitindo a transferência de correntes elevadas com uma tensão muito baixa.
A tecnologia atual, chamada CMOS, é baseada nos transistores de efeito de campo (FET), onde um fluxo de elétrons ativa ou desativa o transístor.
Usando o fenômeno do tunelamento quântico, uma partícula - o elétron - consegue atravessar uma barreira física, o que permite usar muito menos energia.
O principal desafio para a tecnologia CMOS atual é que, conforme o tamanho dos transistores diminui, a potência necessária para operá-los não diminui proporcionalmente.
Transístor vertical
Bijesh Rajamohanan e seus colegas da Universidade da Pensilvânia, nos EUA, demonstraram ser possível construir um transístor de efeito túnel eficiente mudando a forma como o componente é montado.
Em vez de montar todos os contatos no mesmo plano, eles os colocaram na parte superior de um transístor que é essencialmente vertical.
Mas o mais importante foi o ajuste do material utilizado, uma
composição de arseneto de gálio e índio e molibdênio.
"Nós demonstramos a capacidade de operação em alta frequência, o que é útil para aplicações onde a questão da energia é fundamental, como o processamento e transmissão de informações em aparelhos implantados dentro do corpo humano," disse Rajamohanan.
Inovação Tecnológica
