Supermemórias

Pesquisadores da Universidade Rice, nos Estados Unidos, apresentaram detalhes de uma nova geração de memórias cujo elemento ativo é o óxido de silício, em lugar do silício tradicionalmente dopado com outros elementos ou outras ligas semicondutoras.

As memórias são tridimensionais, flexíveis, altamente transparentes e mais simples, com cada célula formada por apenas dois terminais.

A equipe do Dr. James Tour havia antecipado alguns de seus progressos durante a reunião da Sociedade Americana de Química, em Março passado.

Óxido de silício

As memórias, que alcançam até 95% de transparência, são do tipo não-volátil, ou seja, não perdem os dados na ausência de energia, como as memórias flash usadas nos pendrives e cartões de memória.

Sua grande inovação é o uso do próprio óxido de silício como elemento ativo, ensanduichado entre duas camadas de grafeno.

Quando a energia circula por uma finíssima camada de óxido de silício, átomos de oxigênio são arrancados de um canal de apenas 5 nanômetros de largura, transformando o material em silício puro.

Com uma tensão menor, o canal oxida-se novamente, restaurando o óxido de silício.

Assim, o canal pode ser lido como "0" ou "1", dependendo de sua composição.

A dimensão de 5 nanômetros impressiona, uma vez que a indústria começa a avançar agora rumo à tecnologia de 22 nanômetros.

Memórias de dois eletrodos

Os protótipos apresentaram funcionalidade próxima aos 80%, "o que é muito bom para um laboratório não industrial," disse o professor Tour.

Segundo ele, o fato de que as células de memória necessitam de apenas dois terminais é um grande incentivo para que a indústria adote a tecnologia.

Além de mais simples de produzir, as células de memória de dois eletrodos podem ser facilmente empilhadas, formando chips 3D.

Inovação Tecnológica