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Estudantes
criam transistor mais rápido do mundo
Rafael Rigues
Liderada pelo professor Milton Feng, uma equipe da
Universidade de Illinois nos EUA criou um transistor
capaz de operar a 509 GHz, 57 MHz mais veloz que o
recorde anterior. Transistores são componentes
fundamentais na construção de microprocessadores e
na indústria das telecomunicações.
Para conseguir tal velocidade, a equipe modificou o
design do componente, aumentando a largura do coletor
e do emissor e utilizando novos materiais na sua
construção. Em vez dos tradicionais silício e germânio,
e equipe selecionou os elementos Índio (49) e Gálio
(31).
Recordes na área de desenvolvimento de
transistores não costumam durar muito. Em janeiro
deste ano a equipe do professor Feng criou um
transistor de 382 GHz. Em maio, conseguiram atingir os
452 GHz. "Nosso objetivo final é um transistor
capaz de operar a 1 Terahertz", disse o
professor.
Magnet
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